小米接纳氮化镓（GaN）技术的充电器Type-C 65W，使得氮化镓资料大获市场存眷。在这次大获市场存眷之前，氮化镓更常与碳化硅等第三代半导体资料独彪炳现。而自去年以来，碳化硅就已吸引了一波成本投入。

      质料显示，与第一代和第二代半导体资料比拟，第三代半导体资料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射才华。此中，碳化硅（SiC）目前开展最成熟，配资网，也最濒临大规模商业化。与氮化镓类似，碳化硅作为制作高温、高频、大功率、高压器件的抱负资料之一，正宽泛应用于电力电子领域中，成为实现新能源汽车最佳性能的抱负选择，其在新能源车上的应用主要是功率控制单元、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等。目前，世界各国对碳化硅的钻研十分器重，股票配资，纷纷投入大量的人力物力积极开展，美国、欧洲、日本等不只从国家层面上制定了相应的钻研结构，一些国际电子业巨头也都投入巨资开展碳化硅半导体器件。

      A股上市公司中，股票配资，股票配资网，扬杰科技目前在外停止碳化硅芯片流片，可批量供应650V、1200V碳化硅JBS器件，并在积极研发碳化硅MOSFET器件。露笑科技去年11月与中科钢研、国宏中宇签署碳化硅项目战略竞争协议，将为国宏中宇主导的碳化硅财富化项目定制约200台碳化硅长晶炉，办法总采购金额约3亿元。楚江新材全资子公司顶立科技处置惩罚SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量消费，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求。

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