据报导，配资网，韩国技术信息部颁布颁发该国钻研团队操作可以取代现有DRAM或NAND闪存的新一代候选“铁电体存储器（FRAM）”，将存储芯片的存储容量进步 了1000 倍；同时通过对铁电体物质氧化铪施加3-4V的电压，致使原子之间的力量断裂，每个原子都可以自由挪动，51配资，从而实践上可将线幅缩小至0.5纳米。

　　点评：现有半导体的最小线幅为5纳米，这次发如今实践上可以进一步减少到非常之一以下。从而“在雷同的空间里贮存1000 倍以上的信息”。该项目负责人李准熙教授暗示：“在原子中贮存信息的技术，配资，在未定裂原子的状况下成为半导体财富终极贮存技术的几率很高。”值得留心的是，FRAM是现有的半导体资料，被认为商用化的可能性十分高。

　　相关上市公司：

　　上海贝岭(600171)：存储芯片已造成系列产品，公司“铁电体存储器芯片”项目被列为国家技术创新重点新产品；

　　东方锆业(002167)：旗下有氧化铪产品。